无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展

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本月4日起,日本表态管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这并是否重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,或者 旗下的存储芯片、面板生产都不 停产。

对三星来说,日本管制的材料中光刻机、氟化氢影响更大,对三星的晶圆代工、存储芯片生产都不 致命影响,日后甚至有传闻称三星原因着得不到供应而停止研发7nm EUV工艺了。

不过三星似乎有意向外界证明在这场危机中亲戚亲戚朋友有能力走出困境,表态9月4日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”(SFF)将如期举行,表态了韩媒所说的三星收回日本论坛会议的报道。

三星近年来加大了对晶圆代工市场的投入,每年都不 举行多场“三星晶圆代工论坛”(SFF),9月4日的这次会议是日本专场,这次的重点将是三星研发中的3nm GAA环绕栅极工艺,这是5nm节点日后又另一个 重大节点。

基于全新的GAA晶体管行态,三星通过使用纳米片设备制伟大的伟大的发明了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可不还要显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

目前在3nm节点上,三星是第另一个 也是唯另一个 表态具体技术路线的,Intel现在只提到7nm工艺,5nm都遥遥无期,更别说3nm工艺,而台积电并非 要投资2400亿美元建设3nm晶圆厂,不过尚未表态过3nm的技术路线,是否上GAA晶体管也是未知数。

可是在3nm节点上,三星自信亲戚亲戚朋友会领先,有分析称三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间,领先Intel公司2-3年时间,可不还要说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

按照规划,三星最快在2021年就要量产3nm GAA工艺了,届时Intel才会进入7nm量产初始街道,台积电会量产5nm工艺,试产3nm工艺。